Alcuni ricercatori dell’Università inglese di Manchester hanno realizzato il più piccolo transistor del mondo. Il rivoluzionario dispositivo, costituito solo da dieci atomi, è stato costruito utilizzando il grafene, una molecola bidimensionale di atomi di carbonio ritenuta il più probabile successore del silicio nella realizzazione di componenti elettronici.
Si tratta di un risultato straordinario destinato ad incidere in modo sostanziale sul futuro dell’elettronica. Come è noto secondo la celebre legge di Moore il numero di transistor su un chip dovrebbe raddoppiare approssimativamente ogni due anni.
Già oggi i chip di silicio hanno raggiunto la dimensione di 45 nanometri, ma si ritiene che il silicio non possa formare degli aggregati stabili al di sotto dei 10 nanometri. Il che significa che il raggiungimento del limite massimo teorico di miniaturizzazione sarebbe ormai prossimo.
Gli scienziati si sono perciò messi alla ricerca di un materiale alternativo al silicio con il quale sia possibile costruire componenti elettronici di dimensioni inferiori ai 10 nanometri. Il materiale più promettente è appunto il grafene. I legami di carbonio da cui è costituita la molecola del grafene sono tra i più forti in natura; inoltre, la struttura a nido d’ape della molecola consente agli elettroni di viaggiare molto rapidamente.
Nel realizzare il piccolissimo componente gli scienziati hanno fatto ricorso all’effetto quantistico che diviene dominante a queste scale, utilizzando punti quantici non più grandi di un nanometro. A differenza di altri dispositivi già creati con il grafene che necessitano di temperature molto basse, il transistor dell’Università di Manchester funziona anche a temperatura ambiente; inoltre, è stato realizzato seguendo una procedimento analogo a quello dei componenti elettronici in silicio e non assemblando un atomo alla volta, come fin’ora era accaduto con dispositivi di queste dimensioni.
